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  • 产品名称:2N20
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  • 添加时间:2017-03-17 09:18:51
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产品介绍:

 1. 概述与特点

2N20MOS晶体管,主要用于线性放大、功率开关。其特点如下:

● 开关速度快

● 通态电阻低

● 可并联使用

● 驱动简单

● 封装形式:TO-92

2. 电特性

2.1 极限值

除非另有规定,Tamb= 25

 

参 数 名 称

符号

额定值

单位

连续漏极电流

ID

2

A

脉冲漏极电流

IDP

6

栅源电压

VGS

1.7

V

雪崩电流

IAR

 2

A

热阻(结到壳)

RθJC

12

℃/W

热阻(结到环境)

RθJA

112

耗散功率

Ta=25

PDt

0.32

W/℃

Tc=25

40

W

结温

Tj

150

贮存温度

Tstg

-55150


  2.2 电参数                                                引脚:  1. G  2. D  3. S

除非另有规定,Tamb= 25

参 数 名 称

符 号

测 试 条 件

规 范 值

单位

最小

典型

最大

漏源反向电压

VDS

VGS=0V, ID=250 uA 

200

 

 

V

通态电阻

RDSON

VDS=10V, ID=2A

 

0.52

0.58

Ω

栅极阈值电压

VGS(TH)

VDS= VGS, ID=250uA

1.2

1.7

2.5

V

跨导

gfS

VDS= 15V, ID=2A

 

0.9

 

S

漏源漏电流

IDSS 

VDS= 600V ,VGS=0V

 

 

10

μA

VDS= 480V ,TC=125

 

 

100

μA

栅源漏电流

IGSS

VGS=30V ,VDS=0V

 

 

+100

nA

VGS= -30V ,VDS=0V

 

 

-100

nA

关断延迟时间

td(off)

VDD=300V,ID=1.2A

RG=50Ω,RD=150Ω

 

7

25

ns

输入电容

CISS

VGS=0V, VDS=25V

f=1.0MHz

 

120

150

pF

输出电容

COSS

 

20

25

pF

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