- 产品名称：12N65
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- 添加时间：2017-03-17 09:23:02
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产品介绍：
概述与特点
12N65型MOS晶体管，主要用于线性放大、功率开关。其特点如下：
● 开关速度快
● 通态电阻低
● 可并联使用
● 驱动简单
● 封装形式：TO-220F
2. 电特性
2.1 极限值
除非另有规定，TC= 25℃
|
参 数 名 称 |
符号 |
额定值 |
单位 |
|
|
连续漏极电流 |
ID |
12 |
A |
|
|
脉冲漏极电流 |
IDM |
48 |
||
|
栅源电压 |
VGS |
±30 |
V |
|
|
单脉能冲量 |
EAS |
320 |
mJ |
|
|
热阻（结到壳） |
RθJC |
1.0 |
℃/W |
|
|
热阻（结到环境） |
RθJA |
62.5 |
||
|
耗散功率 |
TA=25℃ |
PD |
2 |
W |
|
TC=25℃ |
180 |
|||
|
结温 |
TJ |
150 |
℃ |
|
|
贮存温度 |
TSTG |
-55～150 |
℃ |
|
2.2 电参数 引脚: 1. G 2. D 3. S
除非另有规定，TC= 25℃
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参 数 名 称 |
符 号 |
测 试 条 件 |
规 范 值 |
单位 |
||
|
最小 |
典型 |
最大 |
||||
|
漏源反向电压 |
VDSS |
VGS=0V, ID=250 uA |
650 |
|
|
V |
|
通态电阻 |
RDS(ON) |
VGS=10V, ID=4.2A |
|
|
0. 75 |
Ω |
|
阈值电压 |
VGS(TH) |
VDS= VGS, ID=250uA |
2.0 |
|
4.0 |
V |
|
漏源漏电流 |
IDSS |
VDS=650V ,VGS=0V TJ=25℃ |
|
|
25 |
μA |
|
VDS=480V ,VGS=0V TJ=125℃ |
|
|
250 |
|||
|
栅源漏电流 |
IGSS |
VSG=±30V |
|
|
±100 |
nA |
|
源漏正向压降 |
VFSD |
VGS=0V, IS=7A |
|
|
1.5 |
V |
|
关断延迟时间 |
td(off) |
VDD=300V,ID=7.0A VGS=10V ,RG=12Ω |
|
71 |
|
ns |
|
输入电容 |
CISS |
VGS=0V, VDS=25V f=1.0MHZ |
|
|
1123 |
pF |
|
输出电容 |
COSS |
|
|
127 |
||
|
a:脉冲测试tp≤300μs,δ≤2% |
||||||
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