- 产品名称：2N60
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- 添加时间：2017-03-17 09:16:11
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产品介绍：
1. 概述与特点
2N60型MOS晶体管，主要用于线性放大、功率开关。其特点如下：
● 开关速度快
● 通态电阻低
● 可并联使用
● 驱动简单
● 
封装形式：TO-251
2. 电特性
2.1 极限值
除非另有规定，Tamb= 25℃
|
参 数 名 称 |
符号 |
额定值 |
单位 |
|
|
连续漏极电流 |
ID |
2.0 |
A |
|
|
栅源电压 |
VGS |
±30 |
V |
|
|
雪崩电流 |
IAR |
2.0 |
A |
|
|
热阻（结到壳） |
RθJC |
2.5 |
℃/W |
|
|
耗散功率 |
Ta=25℃ |
PDt |
0.36 |
W/℃ |
|
Tc=25℃ |
45 |
W |
||
|
结温 |
Tj |
150 |
℃ |
|
|
贮存温度 |
Tstg |
-55～150 |
℃ |
|
2.2 电参数 引脚: 1. G 2. D 3. S
除非另有规定，Tamb= 25℃
|
参 数 名 称 |
符 号 |
测 试 条 件 |
规 范 值 |
单位 |
||
|
最小 |
典型 |
最大 |
||||
|
漏源反向电压 |
VDS |
VGS=0V, ID=250 uA |
610 |
|
|
V |
|
通态电阻 |
RDSON |
VDS=10V, ID=1.0A |
|
3.8 |
5 |
Ω |
|
栅极阈值电压 |
VGS(TH) |
VDS= VGS, ID=250uA |
2.2 |
|
3.8 |
V |
|
跨导 |
y21S |
VDS= 50V, ID=1.0A |
|
2.25 |
|
S |
|
漏源漏电流 |
IDSS |
VDS= 600V ,VGS=0V |
|
|
10 |
μA |
|
VDS= 480V ,TC=125℃ |
|
|
100 |
μA |
||
|
栅源漏电流 |
IGSS |
VGS=30V ,VDS=0V |
|
|
+100 |
nA |
|
VGS= -30V ,VDS=0V |
|
|
-100 |
nA |
||
|
关断延迟时间 |
td(off) |
VDD=300V,ID=2.4A RG=25Ω,RD=150Ω |
|
20 |
50 |
ns |
|
输入电容 |
CISS |
VGS=0V, VDS=25V f=1.0MHz |
|
270 |
350 |
pF |
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