产品介绍:
. 概述与特点
1N60型MOS晶体管,主要用于线性放大、功率开关。其特点如下:
● 开关速度快
● 通态电阻低
● 可并联使用
● 驱动简单
● 封装形式:TO-251
2. 电特性
2.1 极限值
除非另有规定,Tamb= 25℃
参 数 名 称 |
符号 |
额定值 |
单位 |
|
连续漏极电流 |
ID |
1.2 |
A |
|
脉冲漏极电流 |
IDP |
4.8 |
||
栅源电压 |
VGS |
±30 |
V |
|
雪崩电流 |
IAR |
1.2 |
A |
|
热阻(结到壳) |
RθJC |
12 |
℃/W |
|
热阻(结到环境) |
RθJA |
112 |
||
耗散功率 |
Ta=25℃ |
PDt |
0.32 |
W/℃ |
Tc=25℃ |
40 |
W |
||
结温 |
Tj |
150 |
℃ |
|
贮存温度 |
Tstg |
-55~150 |
℃ |
2.2 电参数 引脚: 1. G 2. D 3. S
除非另有规定,Tamb= 25℃
参 数 名 称 |
符 号 |
测 试 条 件 |
规 范 值 |
单位 |
||
最小 |
典型 |
最大 |
||||
漏源反向电压 |
VDS |
VGS=0V, ID=250 uA |
610 |
|
|
V |
通态电阻 |
RDSON |
VDS=10V, ID=0.6A |
|
9.3 |
12 |
Ω |
栅极阈值电压 |
VGS(TH) |
VDS= VGS, ID=250uA |
2.2 |
|
3.8 |
V |
跨导 |
gfS |
VDS= 50V, ID=0.6A |
|
0.9 |
|
S |
漏源漏电流 |
IDSS |
VDS= 600V ,VGS=0V |
|
|
10 |
μA |
VDS= 480V ,TC=125℃ |
|
|
100 |
μA |
||
栅源漏电流 |
IGSS |
VGS=30V ,VDS=0V |
|
|
+100 |
nA |
VGS= -30V ,VDS=0V |
|
|
-100 |
nA |
||
关断延迟时间 |
td(off) |
VDD=300V,ID=1.2A RG=50Ω,RD=150Ω |
|
7 |
25 |
ns |
输入电容 |
CISS |
VGS=0V, VDS=25V f=1.0MHz |
|
120 |
150 |
pF |
输出电容 |
COSS |
|
20 |
25 |
pF |
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