佛山市实力通电子有限公司

可控硅                                                          2P4M                                                    

 

2P4M  单向可控硅     

用    途                                                         

广泛应用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路功率控制。    

特    征

    较低的通态压降，灵敏一致的触发特性，低的维持电流，采用先进的玻璃钝化工艺，保证了可靠性。

 

 

 

1：极限参数

名称	符号	数值	单位	条件
重复峰值阻断电压	VDRM	600	V
RMS通态电流	IT（RMS）	2	A	正弦波180°
门极平均功率	PG（AV）	0.12	W	T=25℃，10MS
浪涌电流	ITSM	20	A	正弦波,60Hz
结温	Tj	110	℃
储存温度	Tstg	-40~150	℃

 

2：断态特性

特性	符号	条件	最小值	最大值	单位
重复峰值阻断电流	IDRM	VD=VDRM	----	0.1	mA

 

3：通态特性(Ta=25℃)

特性	符号	条件	最小值	最大值	单位
峰值通态电压	VTM	IT=2A	----	1.7	V
维持电流	IH	VD=24V,IGT=50mA	----	5	mA
擎住电流	IL	VD=12V,  IGT=200 μA		10	mA

 

4：门极特性(Ta=25℃)

特性	符号	条件	最小值	最大值	单位
门极触发电流	IGT	VD=12V,  RL=100Ω		150	µ A
门极触发电压	VGT	VD=12V,  RL=100Ω		1.2	V

 

5：开关特性

特性	符号	条件	最小值	最大值	单位
临界通态电流上升率	di/dt	Ipk=20A,IGT=20mA		50	A/µS
临界断态电压上升率	dv/dt	VD=0.67 VDRM, T=110℃	20		V/µS

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